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旋转氧化铌靶NbOx
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旋转氧化铌靶NbOx
电阻率（20°C）: ≤ 0.1Ω.cm
成型工艺: 喷涂
密度: ≥4.3g/cm³（≥95%）
纯度: ≥ 99.95%
应用: 主要用于LOW-E镀膜玻璃，薄膜太阳能电池电极膜系，TFT-LCD，半导体电子
最大加工尺寸: 长度: 4000MM 厚度: 6-10MM, 直型、狗骨型, 按客户要求定做
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